CEPOGHEX

Croissance Epitaxiale et Propriétés Optiques du Ge-2H Hexagonal

Acronyme	Année	Laboratoire	Collaboration(s)	Budget	Durée
CEPOGHEX	2020	C2N	LEM, SOLEIL, LPS	55 k€	36 mois

Titre	Croissance Epitaxiale et Propriétés Optiques du Ge-2H Hexagonal
Porteur	Laetitia Vincent
Date de démarrage	septembre 2020
Présentation du projet	La synthèse de la phase cristalline Ge-2H présentant un gap direct (0,3 eV) permet d’envisager l’intégration de fonctionnalités photoniques du germanium dans le domaine du moyen infrarouge. L’ambition de ce projet est de mettre en place des procédés d’épitaxie innovants permettant la synthèse en couche mince du Ge-2H, d’étudier les modes de croissance par des observations in-situ (Nanomax) et des caractérisations post-croissance et enfin de caractériser les propriétés optiques et électroniques. Le projet est porté par un consortium complémentaire sur la synthèse et la caractérisation ultime de matériaux (C2N, LPS, SOLEIL, LEM). Il s’appuie sur la centrale de technologie du C2N et bénéficie avantageusement de l’EQUIPEX TEMPOS d’une part sur son volet croissance in situ en temps réel et d’autre part sur la spectroscopie électronique dans CHROMATEM.

#219 - Màj : 17/06/2020