Optical and electrical tunnel anomalous hall effect
Acronyme |
Année |
Laboratoire |
Collaboration(s) |
Budget |
Durée |
Optane |
2017 |
UMPhy |
C2N Marcoussis, LSI, PMC |
19 k€ |
18 mois |
Titre |
Optical and electrical tunnel anomalous hall effect |
Porteur |
|
Date de démarrage |
Mai 2017 |
Présentation du projet |
Le projet OPTANE (OPtical and electrical Tunnel ANomalous Hall Effect : ATHE) a pour objet la mise en évidence expérimentale de l’Effet Tunnel Hall de spin Anormal à l’interface entre un matériau semiconducteur et un matériau à fort couplage spin-orbite. Grâce à la synergie de 4 laboratoires (LSI, UMPhy et PMC, C2N), nous proposons la mise évidence expérimentale de tels effets ATHE sur des systèmes GaAs/Pt ou l’injection de spin s’opère par pompage optique à polarisation circulaire et par mesure de la tension transverse par modulation de fréquence (modulateur+lock-in technique). Sur la base des travaux théoriques et simulations numériques en cours dans les laboratoires (LSI, UMPhy), nous souhaitons également investiguer, dans le domaine du transport et de la magnétorésistance, plusieurs systèmes à fort potentiel ATHE de type semiconducteurs ferromagnétiques (GaMnAs/InAs/GaMnAs élaborés au C2N) ainsi que l’ATHE sur des système Mn:GaAs par mesure d’effet Hall transverse géant. Le premier système GaMnAs/InAs/GaMnAs est également propice à la mise en évidence d’effet de magnétorésistance unidirectionnelle du fait de l’asymétrie de transmission électronique (trous) par principe d’ATHE comme mis en évidence récemment sur des isolants topologiques. Ce projet sera soutendu par des développements analytiques et calculatoires. |
• Projets "Emergence/Plateforme" / "Emergence/Platform" Projects
• Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N) • Laboratoire de Physique de la Matière Condensée • Laboratoire des Solides Irradiés • Unité Mixte de Physique CNRS/Thales