WEB Nano Saclay
OPTANE
logo_tutelle 

Optical and electrical tunnel anomalous hall effect

Acronyme

Année

Laboratoire

Collaboration(s)

Budget

Durée

Optane

2017

UMPhy

C2N Marcoussis, LSI, PMC

19 k€

18 mois

 

 

Titre

Optical and electrical tunnel anomalous hall effect

Porteur

Henri JAFFRES

Date de démarrage

Mai 2017

Présentation du projet

Le projet OPTANE (OPtical and electrical Tunnel ANomalous Hall Effect : ATHE) a pour objet la mise en évidence expérimentale de l’Effet Tunnel Hall de spin Anormal à l’interface entre un matériau semiconducteur et un matériau à fort couplage spin-orbite. Grâce à la synergie de 4 laboratoires (LSI, UMPhy et PMC, C2N), nous proposons la mise évidence expérimentale de tels effets ATHE  sur des systèmes GaAs/Pt ou l’injection de spin s’opère par pompage optique à polarisation circulaire et par mesure de la tension transverse par modulation de fréquence (modulateur+lock-in technique). Sur la base des travaux théoriques et simulations numériques en cours dans les laboratoires (LSI, UMPhy), nous souhaitons également investiguer, dans le domaine du transport et de la magnétorésistance, plusieurs systèmes à fort potentiel ATHE de type semiconducteurs ferromagnétiques (GaMnAs/InAs/GaMnAs élaborés au C2N) ainsi que l’ATHE sur des système Mn:GaAs par mesure d’effet Hall transverse géant. Le premier système GaMnAs/InAs/GaMnAs est également propice à la mise en évidence d’effet de magnétorésistance unidirectionnelle du fait de l’asymétrie de transmission électronique (trous) par principe d’ATHE comme mis en évidence récemment sur des isolants topologiques. Ce projet sera soutendu par des développements analytiques et calculatoires.

 

Maj : 29/03/2017 (143)

 

Retour en haut