Les matériaux ferroélectriques qui présentent une polarisation électrique renversable sous l’application d’un champ électrique sont devenus une brique essentielle pour le développement des composants dans des domaines variés allant de l’électronique aux capteurs et transducteurs en passant par la spintronique. Récemment, il a été montré que contrairement aux ferroélectriques actuels qui souffrent des conséquences de la miniaturisation, les matériaux à base de HfO2, déjà utilisés comme oxyde de grille dans les technologies CMOS, deviennent non seulement ferroélectriques mais leur polarisation se renforce d’autant plus que les dimensions se réduisent. Cependant, ces matériaux, bien que prometteurs, présentent un mécanisme de ferroélectricité qui reste encore à élucider.
En collaboration avec le groupe de B. Noheda (University of Groningen) et de J. Íñiguez (LIST), nous avons montré que des couches minces d’épaisseurs inférieures à 10nm de Hf0.5Zr0.5O2 épitaxiées sur des substrats (001)- La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO3, présentent une très forte polarisation de 34 µC/cm2 qui ne nécessite aucun cycle dit d’éveil, habituellement nécessaire pour développer la polarisation dans ces matériaux. En effet, ces films, qui sont dans un état de contraintes compressives et essentiellement orientés selon la direction [111], ne possèdent pas la symétrie orthorhombique communément reportée dans la littérature mais une symétrie rhombohédrique. La découverte de cette nouvelle phase ferroélectrique stabilisée par le rôle combiné de l’effet de taille et de la contrainte permet d’envisager une approche analogue pour induire une polarisation forte dans des matériaux simples qui jusque-là n’avaient jamais été considérés comme potentiellement ferroélectriques.
Ces travaux, publiés dans Nature Materials, ont été menés dans le cadre du projet phare AXION.
Référence: A rhombohedral ferroelectric phase in epitaxially strained Hf0.5Zr0.5O2 thin films
Y. Wei, P. Nukala, M. Salverda, S. Matzen, H. J. Zhao, J. Momand, A. S. Everhardt, G. Agnus, G. R. Blake, P. Lecoeur, B. J. Kooi, J. Íñiguez, B. Dkhil and B. Noheda
Contacts NanoSaclay: Sylvia Matzen, C2N et Brahim Dkhil, CentraleSupélec
Collaborations:
• Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Pays-Bas
• Materials Research and Technology Department, Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST), Luxembourg.
• › • Flagship phase 2 : nAnoXItrONics
• Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N) • Laboratoire Structures, Propriétés et Modélisation des Solides