WEB Nano Saclay
30 septembre 2015
Intégration du fluorographene en couche de passivation pour un transistor FET
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La fonctionnalisation du graphene revêt une importance particulière pour la modulation des propriétés électroniques des composants nanoélectroniques. En exposant du graphene à un environnement fluoré, il est possible de le transformer en semi-conducteur dont le gap varie avec la nature de la fluorisation (ratio C/F). Ainsi, le fluorographene peut être intégré en tant que couche de passivation ou diélectrique de grille pour la fabrication de composants tout graphene.

Le canal de conduction d’un transistor FET a été découplé des impuretés présentes dans le substrat d’oxyde de silicium. Ce découplage est possible grâce à une couche de passivation en fluorographene totalement fluorée (ratio C1.1F1) et cela sans optimisation particulière de la taille des grains de graphene CVD. En intégrant cette couche dans un processus de fabrication de transistor à grille auto alignée, la mobilité des porteurs a été substantiellement améliorée. Le gain observé est supérieur à celui atteint en utilisant une passivation à base de molécules auto assemblées. Une amélioration de la synthèse du graphene CVD notamment la taille de grain et la nano structuration du canal, permettra d’atteindre des mobilités et un rapport ION/IOFF bien supérieurs.

Référence : A Self-Aligned High-Mobility Graphene Transistor: Decoupling the Channel with Fluorographene to Reduce Scattering. K.-I. Ho, M. Boutchich, C.-Y.  Su, R. Moreddu, E. S. Raj Marianathan, L. Montes, and C.-S. Lai. Advanced Materials (2015)

Contact NanoSaclay: Mohamed Boutchich, Laboratoire GeePs (Génie électrique et électronique de Paris), CentraleSupelec, Gif-sur-Yvette.

Collaborations:

 

Maj : 30/09/2015 (106)

 

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