Oxydes de cobalt pour dispositifs à modulation de résistance
Acronyme |
Année |
Laboratoire |
Collaboration(s) |
Budget |
Durée |
OxCOM |
2015 |
GeePs |
IEF, LPS |
9 000k€ |
2 ans |
Titre |
Oxydes de cobalt pour dispositifs à modulation de résistance |
Porteur |
|
Date de démarrage |
Juin 2015 |
Présentation du projet |
Dans le cadre des recherches sur les mémoires non volatiles, nous avons montré que la résistivité de films d’oxyde de cobalt et de lithium LixCoO2 est modulable en fonction de la tension appliquée après intégration entre deux électrodes sur substrat de silicium. La commutation résistive est de plus de 4 ordres de grandeur, ce qui représente un résultat préliminaire exceptionnel dans ce domaine. A présent, afin de tendre vers des dispositifs aux performances attractives en termes de miniaturisation et temps de commutation, les mécanismes électrochimiques impliqués doivent être mieux contrôlés lors de la réduction de la taille des cellules vers l’échelle nanométrique. Les leviers à explorer sont le contrôle des deux interfaces film/électrode et la cristallinité des films d’oxyde. |
• Projets "Emergence/Plateforme" / "Emergence/Platform" Projects
• Institut d'Électronique Fondamentale (IEF) UMR Paris-Sud-CNRS • Laboratoire de Physique des Solides • Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (GeePs)