Résonateurs supraconducteurs en silicium ultra-dopé
Acronyme |
Année |
Laboratoire |
Collaboration(s) |
Budget |
Durée |
SIRE |
2016 |
IEF |
CSNSM |
35 k€ |
3 ans |
Titre |
Résonateurs supraconducteurs en silicium ultra-dopé |
Porteur |
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Date de démarrage |
Juin 2016 |
Présentation du projet |
Le projet SIRE propose une étude fondamentale sur les propriétés à haute fréquence du silicium supraconducteur. Cette étude, couplée à la récente démonstration de jonctions Josephson et SQUIDs tout silicium, ouvre la voie à une électronique quantique supraconductrice tout silicium de fort impact pour l’information quantique. Les partenaires du projet sonderont, dans des résonateurs coplanaires et de type ‘lumped’, les mécanismes des pertes et la durée de vie des quasiparticules en fonction du dopage et des dimensions dans la limite 2D et 1D. Ils sonderont également les effets de grille pour moduler les propriétés de résonance, exploitant la forte dépendance du Si supraconducteur du nombre de porteurs. Enfin, ils testeront la possibilité matérielle de réaliser des Détecteurs à Inductance Cinétique en Si:B, un matériau très prometteur grâce à sa forte inductance cinétique, grande résistivité et Tc facilement ajustable à l’impédance du vide. |
• Projets "Emergence/Plateforme" / "Emergence/Platform" Projects
• Institut d'Électronique Fondamentale (IEF) UMR Paris-Sud-CNRS