Le graphène pourrait être un des éléments de base pour conduire l’électronique du futur grâce à son ultra haute mobilité de charge et sa taille minimisée à l’échelle nanométrique.

Pour concevoir des dispositifs de mémoire, il est important de moduler les propriétés électriques et magnétiques du graphène. Le contrôle du niveau de dopage est une bonne méthode pour moduler ces propriétés. L'article expose le dopage réversible de transfert de charge dans le graphène en raison de la réaction avec des résidus de polymère. Des méthodes comme l’irradiation et le recuit ont été utilisées.

Référence : Reversible charge transfer doping in graphene due to reaction with polymer residues. C. Deng, W. Lin, G. Agnus, D. Dragoe, D. Pierucci, A. Ouerghi, S. Eimer, I. Barisic, D. Ravelosona, C. Chappert and W. Zhao. J Phys Chem C (2014)

Contact NanoSaclay: , Institut d'Electronique Fondamentale, Université Paris-Sud - CNRS, 91405 Orsay.

Collaborations:
• Department of Electronic and Information Engineering, Beihang University, Beijing, China
• Institut de Chimie Moléculaire et des Matériaux d’Orsay, Université Paris-Sud - CNRS, 91405 Orsay
• Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, 91460 Marcoussis
• Siltene Technologies, 91405 Orsay