Toward ultra-high density non-volatile memories
Acronyme |
Année |
Laboratoire |
Collaboration(s) |
Budget |
Durée |
SPIN ION |
2016 |
IEF |
industriels |
58 k€ |
1 an |
Titre |
Toward ultra-high density non-volatile memories |
Porteur |
|
Date de démarrage |
Avril 2016 |
Présentation du projet |
Afin de répondre à l’augmentation massive de données numériques dans le monde, il est indispensable que la densité de stockage des mémoires non volatiles continue d'évoluer et que leur consommation énergétique diminue. Les deux technologies majeures (mémoires FLASH et disques durs) rencontrent aujourd’hui des verrous technologiques importants. Dans le cadre du développement de nouvelles mémoires non volatiles, les mémoires magnétiques STT-MRAM sont aujourd’hui les plus prometteuses mais elles sont encore limitées en terme de densité. Nous avons développé un procédé technologique basé sur l’irradiation ionique de matériaux magnétiques pour décupler les densités de stockage des disques durs et des mémoires STT-MRAM. Notre ambition est que notre procédé devienne un standard pour la production de matériaux magnétiques. Le procédé est protégé par 3 brevets et plusieurs collaborations industrielles sont en cours. La demande faite aux Labex Palm/Nanosaclay concerne une source d’ion ECR pour fiabiliser le prototype de l’IEF. |
• Projets "Valorisation" / Valorization projects
• Institut d'Électronique Fondamentale (IEF) UMR Paris-Sud-CNRS