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SPIN ION Technologies
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Toward ultra-high density non-volatile memories

Acronyme

Année

Laboratoire

Collaboration(s)

Budget

Durée

SPIN ION

2016

IEF

industriels

58 k€

1 an

 

 

Titre

Toward ultra-high density non-volatile memories

Porteur

Dafiné RAVELOSONA

Date de démarrage

Avril 2016

Présentation du projet

Afin de répondre à l’augmentation massive de données numériques dans le monde, il est indispensable que la densité de stockage des mémoires non volatiles continue d'évoluer et que leur consommation énergétique diminue. Les deux technologies majeures (mémoires FLASH et disques durs) rencontrent aujourd’hui des verrous technologiques importants. Dans le cadre du développement de nouvelles mémoires non volatiles, les mémoires magnétiques STT-MRAM sont aujourd’hui les plus prometteuses mais elles sont encore limitées en terme de densité. Nous avons développé un procédé technologique basé sur l’irradiation ionique de matériaux magnétiques pour décupler les densités de stockage des disques durs et des mémoires STT-MRAM. Notre ambition est que notre procédé devienne un standard pour la production de matériaux magnétiques. Le procédé est protégé par 3 brevets et plusieurs collaborations industrielles sont en cours. La demande faite aux Labex Palm/Nanosaclay concerne une source d’ion ECR pour fiabiliser le prototype de l’IEF.

 
#131 - Màj : 29/03/2016

 

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